对比图
型号 227T IRFS4227TRLPBF IRFS4227PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 200V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3200V,22mΩ,62A,N沟道功率MOSFETINFINEON IRFS4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 26 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 330 W 330 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.022 Ω 0.026 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 330 W 330 W
阈值电压 - 5 V 5 V
输入电容 - 4600 pF 4600 pF
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 62A 62A
上升时间 - 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) - 4600pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 330 W 330 W
下降时间 - 31 ns 31 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 180 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 330W (Tc) 330W (Tc)
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
封装 - TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17