2N6517G和2N6517TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6517G 2N6517TA MPSA42

描述 高电压晶体管 High Voltage TransistorsON Semiconductor 2N6517TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装高压晶体管( NPN硅) High Voltage Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 - 200 MHz 50 MHz

针脚数 - 3 3

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 300 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @50mA, 10V 20 @50mA, 10V 40 @30mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - 20 40

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW

额定电压(DC) 350 V - 300 V

额定电流 500 mA - 500 mA

额定功率 625 mW - -

极性 N-Channel - NPN

集电极最大允许电流 0.5A - -

集电极击穿电压 - - 300 V (min)

长度 - 4.58 mm 5.2 mm

宽度 - 3.86 mm 4.19 mm

高度 - 4.58 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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