对比图
描述 VISHAY IRFRC20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252 TO-252
额定功率 42 W 42 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 4.4 Ω 4.4 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 42 W 42 W
阈值电压 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.00 A
上升时间 23 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) -
下降时间 25 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 42 W
高度 2.39 mm 2.38 mm
封装 TO-252 TO-252
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free