对比图
型号 ISL9N306AP3 ISL9N307AP3 FDP8896
描述 N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsPowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 92.0 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 9.5 mΩ 11.5 mΩ 59 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 100 W 80 W
输入电容 - - 2.52 nF
栅电荷 - - 48.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75.0 A 92.0 A
上升时间 - - 103 ns
输入电容(Ciss) - - 2525pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 80 W
下降时间 - - 44 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 80 W
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 4.7 mm - 4.83 mm
高度 16.3 mm - 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR