对比图
型号 IPS1021RPBF VND5N07-E VND7NV04-E
描述 Integrated circuit: driver; 6A; 2.5W; N-MOSFET; DPAKOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS VND7NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器电源管理MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 2.5 W - 60 W
输出接口数 1 1 1
输入电压(DC) 5.50 V - -
输出电流 6 A 7 A 6 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 60 W 60 W
产品系列 IPS1021R - -
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 5.00 A 6.00 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
耗散功率(Max) 2500 mW 60000 mW 60000 mW
电源电压 4.5V ~ 5.5V - -
输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V -
供电电流 - 0.25 mA 0.1 mA
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 0.2 Ω 0.06 Ω
阈值电压 - 55 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) - 70 V 55 V
漏源击穿电压 - 70.0 V 40.0 V
输入电压(Max) - 18 V -
输出电流(Max) - 3.5 A 6 A
输出电流(Min) - 5 A 6 A
输入数 - 1 1
输出电压 - - 40 V
针脚数 - - 3
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99