BQ2201SN和BQ2201SN-N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ2201SN BQ2201SN-N BQ2201SNG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  BQ2201SN  芯片, SRAM非易失性控制器, 8-SOICSRAM 非易失控制器,Texas InstrumentsSRAM 非易失控制器提供将标准 CMOS SRAM 转换为非易失性读/写存储器的所有必要功能。### 电池管理,Texas InstrumentsNonvolatile Controller 4.5V to 5.5V 8Pin SOIC Tube

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 存储芯片存储芯片电源监控芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V

输出电流 0.16 A 0.16 A 0.16 A

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

针脚数 8 - -

工作电压 - - 5.00 V

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

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