BD139-10和BD1396S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD139-10 BD1396S BD139G

描述 STMICROELECTRONICS  BD139-10  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFETrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkPNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V

额定电流 - 1.50 A 1.50 A

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.25 W - 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 25

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 40 - 40

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW - 1250 mW

长度 7.8 mm - 7.74 mm

宽度 2.7 mm - 2.66 mm

高度 10.8 mm - 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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