对比图
型号 STD150NH02LT4 SUD50N02-06P-E3 NTD110N02RT4G
描述 N沟道24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK ™ - IPAK的STripFET ™伊犁功率MOSFET N-channel 24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK™ - IPAK STripFET™ IlI Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 20V 26A 3Pin(2+Tab) DPAK24V,110A功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 24.0 V - 24.0 V
额定电流 150 A - 110 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.0035 Ω - 0.0041 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 125 W 6.8W (Ta), 65W (Tc) 110 W
阈值电压 1.8 V - 1.5 V
输入电容 4.45 nF - 3.44 nF
栅电荷 69.0 nC - 28.0 nC
漏源极电压(Vds) 24 V 20 V 24 V
漏源击穿电压 24.0 V - 24 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 150 A - 110 A
上升时间 224 ns - 39 ns
输入电容(Ciss) 4450pF @15V(Vds) 2550pF @10V(Vds) 3440pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 125 W - 1.5 W
下降时间 40 ns - 21 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 6.8W (Ta), 65W (Tc) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
长度 6.5 mm - 6.73 mm
宽度 6.2 mm - 6.22 mm
高度 2.17 mm - 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99