BDW46和BDW46G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDW46 BDW46G

描述 达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  BDW46G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 4 MHz, 85 W, 15 A, 1000 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V

额定电流 -15.0 A -15.0 A

极性 PNP PNP

耗散功率 85 W 85 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 15A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 4V 1000 @5A, 4V

额定功率(Max) 85 W 85 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3

直流电流增益(hFE) - 1000

增益带宽 - 4MHz (Min)

耗散功率(Max) - 85000 mW

长度 10.28 mm -

宽度 4.82 mm -

高度 9.28 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99

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