MMUN2141LT1G和PDTA115EM,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2141LT1G PDTA115EM,315 DDTA115TKA-7-F

描述 SOT-23 PNP 50V 100mADFN PNP 50V 20mA双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-883 SC-59-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.4 W 250 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 20mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 80 @5mA, 5V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 246 mW 250 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 250 mW 200 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

增益带宽 - - 250 MHz

高度 - 0.47 mm 1.3 mm

封装 SOT-23-3 SOT-883 SC-59-3

长度 - - 3.1 mm

宽度 - - 1.7 mm

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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