对比图
型号 STW13NK100Z STW9NB80 IXFH14N100Q2
描述 STMICROELECTRONICS STW13NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 VN沟道800V - 0.85ohm - 9.3A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXFH14N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1 kV, 900 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 3 - 3
通道数 1 1 -
漏源极电阻 700 mΩ 1 Ω 0.9 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 350 W 190 W 500 W
漏源极电压(Vds) 1 kV 800 V 1 kV
漏源击穿电压 1000 V 800 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 9.00 A 14.0 A
上升时间 35 ns 20 ns 10 ns
下降时间 45 ns 22 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) 1.00 kV - -
额定电流 13.0 A - -
针脚数 3 - 3
阈值电压 3.75 V - 5 V
输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) - 2700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 350 W - -
耗散功率(Max) 350W (Tc) - 500W (Tc)
长度 15.75 mm 15.75 mm 16.26 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.3 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 - - 6.00 g
ECCN代码 EAR99 - -