BSS138-7-F和BSS138LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138-7-F BSS138LT1G

描述 MULTICOMP  BSS138-7-F  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 1.4Ω, 200mA, SOT-23-3ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

数据手册 --

制造商 Multicomp ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) - 50.0 V

额定电流 - 200 mA

额定功率 - 0.225 W

通道数 - 1

针脚数 3 3

漏源极电阻 1.4 Ω 3.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 300 mW 225 mW

阈值电压 1.2 V 1.5 V

输入电容 - 40pF @25V

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 200 mA

输入电容(Ciss) - 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW

无卤素状态 - Halogen Free

漏源击穿电压 - 50 V

工作温度(Min) - -55 ℃

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 0.94 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

军工级 - -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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