对比图
型号 AUIRF2903ZL IRF2903ZPBF IRF2903ZSPBF
描述 INFINEON AUIRF2903ZL 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF2903ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-263-3
额定功率 231 W 290 W 290 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0019 Ω 0.0024 Ω 0.0019 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 231 W 290 W 231 W
阈值电压 2 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 235A 260A 235A
上升时间 100 ns 100 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 6320pF @25V(Vds) 6320pF @25V(Vds) 6320pF @25V(Vds)
下降时间 37 ns 37 ns 37 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 231W (Tc) 290W (Tc) 231W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源击穿电压 30 V - 30 V
长度 10.2 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.5 mm 4.83 mm 9.65 mm
高度 9.45 mm 16.51 mm 4.83 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99