BLF6G10LS-200RN和BLF6G10LS-200,112

对比图

型号 BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200R,118

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorIC BASESTATION FINAL SOT502BTrans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502B T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

封装 SOT-502 SOT-502 SOT502B

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

频率 - 871.5 MHz -

输出功率 40 W 40 W -

增益 - 20.2 dB -

测试电流 - 1.4 A -

额定电压 - 65 V -

工作温度(Max) 225 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 SOT-502 SOT-502 SOT502B

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free