2N5793和JAN2N5794

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5793 JAN2N5794 JANTX2N5794

描述 NPN硅晶体管双 NPN SILICON DUAL TRANSISTORTO-78 NPN 40V 0.6ATO-78 NPN 40V 0.6A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 6

封装 TO-78 TO-78 TO-78-6

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - - 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) - - 600 mW

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 600 mW

封装 TO-78 TO-78 TO-78-6

材质 - - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

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