BC875和PBSS4140T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC875 PBSS4140T 2N2220

描述 NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistorsNXP  PBSS4140T  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 mW, 1 A, 300 hFESmall Signal Transistors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-92-3 TO-236 -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 40 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 200 -

直流电流增益(hFE) - 300 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) 830 mW 0.45 W -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 TO-92-3 TO-236 -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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