MBR860MFST3G和NRVB860MFST1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBR860MFST3G NRVB860MFST1G MBR860MFST1G

描述 Diode Schottky 60V 8A 4Pin DFN T/R二极管 肖特基 60V 8A 表面贴装型 5-DFN(5x6)(8-SOFL)Diode Schottky 60V 8A 4Pin DFN T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 功率二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 4

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

正向电压 800mV @8A 800mV @8A 800mV @8A

正向电流(Max) 8 A 8000 mA 8000 mA

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

正向电流 - 8000 mA 8000 mA

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅 无铅

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

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