对比图
型号 FQD1N60 SSR2N60B STD1NK60T4
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STD1NK60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK DPAK TO-252-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 1A 1.8A 1.00 A
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 1.00 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 8 Ω
耗散功率 - - 30 W
阈值电压 - - 3 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
上升时间 - - 5 ns
输入电容(Ciss) - - 156pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 30 W
下降时间 - - 25 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 30W (Tc)
封装 DPAK DPAK TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99