对比图
型号 NST489AMT1G NSVT489AMT1G NST489AMT1
描述 PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管高电流表面贴装NPN硅低VCE （ sat）的开关晶体管，用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 -
封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
频率 300 MHz 300 MHz -
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 2.00 A - 2.00 A
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 535 mW 1.18 W 535 mW
集电极击穿电压 50.0 V - -
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 2A 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 300 @500mA, 5V 300 @500mA, 5V 300 @500mA, 5V
额定功率(Max) 535 mW 535 mW 535 mW
直流电流增益(hFE) 900 - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1180 mW 1.75 W -
增益频宽积 - - 300 MHz
长度 3.1 mm 3.1 mm 3 mm
宽度 1.7 mm 1.7 mm 1.5 mm
高度 1 mm 1 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -