FQB4N80和FQB4N80TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB4N80 FQB4N80TM

描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB4N80TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 D2PAK TO-263-3

电容 - -

针脚数 - 3

耗散功率 - 130 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

上升时间 - 45 ns

纹波电流 - -

输入电容(Ciss) - 880pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.13 W

下降时间 - 35 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 130W (Tc)

极性 N-CH N-Channel

连续漏极电流(Ids) 3.9A 3.90 A

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 3.90 A

漏源极电阻 - 2.8 Ω

阈值电压 - 5 V

漏源击穿电压 - 800 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

高度 - 4.83 mm

封装 D2PAK TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99

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