DTC114TET1G和DTC114TETL

对比图

型号 DTC114TET1G DTC114TETL DTC114TET1

描述 ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-416-3 SC-75-3 SC-75-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN N-Channel, NPN NPN

耗散功率 0.3 W 150 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 100 @1mA, 5V 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 600 160

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

无卤素状态 Halogen Free - -

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW -

额定功率 - 0.15 W -

直流电流增益(hFE) - 250 -

增益带宽 - 250 MHz -

长度 1.65 mm 1.7 mm 1.6 mm

宽度 0.9 mm 0.9 mm 0.8 mm

高度 0.8 mm 0.7 mm 0.75 mm

封装 SOT-416-3 SC-75-3 SC-75-3

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 - -