对比图
型号 MMBTA13LT3G SMMBTA13LT1G MMBTA13LT1G
描述 NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR MMBTA13LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - - 125 MHz
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 300 mA
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
针脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 225 mW 0.3 W 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.3A 0.3A 0.3A
最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 10000 10000 @100mA, 5V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) - - 10000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
增益带宽 125MHz (Min) 125MHz (Min) 125MHz (Min)
耗散功率(Max) 300 mW 225 mW 300 mW
长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 1.01 mm 1.01 mm 1.01 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99