2N4922G和MJE3055T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4922G MJE3055T 2N4402

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N4922G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFESTMICROELECTRONICS  MJE3055T  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 3 A, 400 hFENTE ELECTRONICS  2N4402  晶体管, PNP, -40V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-92

频率 3 MHz 2 MHz -

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 1.00 A 10.0 A -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN PNP, P-Channel

耗散功率 30 W 75 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 20 @4A, 4V -

最大电流放大倍数(hFE) 150 70 -

额定功率(Max) 30 W 75 W -

直流电流增益(hFE) 10 400 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 30000 mW 75000 mW -

无卤素状态 Halogen Free - -

热阻 4.16℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 1A - -

长度 7.8 mm 10.4 mm -

宽度 2.66 mm 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-92

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 - -

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