对比图
型号 FDB8441 SPB80N04S2-H4 IPB80N04S2L03ATMA1
描述 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorD2PAK N-CH 40V 80A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3
额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
针脚数 2 - -
漏源极电阻 0.0019 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 300 W 300W (Tc) 300W (Tc)
阈值电压 2.8 V - -
输入电容 15.0 nF 5.89 nF -
栅电荷 280 nC 148 nC -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 28.0 A 80.0 A 80A
上升时间 24 ns - 50 ns
输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) 5890pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W - -
下降时间 17.9 ns - 27 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - - 1
长度 10.67 mm - 10 mm
宽度 9.65 mm - 9.25 mm
高度 4.83 mm - 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -