LM358D和LM358DR

对比图

型号 LM358D LM358DR LM358M/NOPB

描述 STMICROELECTRONICS  LM358D  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM358DR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM358M/NOPB  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 60 mA 30mA @15V 40mA @15V

供电电流 700 µA 1 mA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 - - 0.53 W

共模抑制比 70 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 - 7.00 µV/K 7.00 µV/K

带宽 1.1 MHz 700 kHz 1 MHz

转换速率 600 mV/μs 300 mV/μs 100 mV/μs

增益频宽积 1.1 MHz 700 kHz 1 MHz

输入补偿电压 2 mV 3 mV 2 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 45 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 1.1 MHz 0.7 MHz 1 MHz

耗散功率(Max) - - 530 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 30V - 3V ~ 32V

电源电压(Max) - - 32 V

电源电压(Min) - - 3 V

电源电压(DC) 32.0V (max) - -

工作电压 3V ~ 30V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.91 mm 3.9 mm

高度 1.65 mm 1.58 mm 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2018/06/27 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -