对比图
型号 CSD19533KCS CSD19535KCS AUIRFB4410
描述 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCS100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19535KCSINFINEON AUIRFB4410 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0087 Ω 0.0031 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 188 W 300 W 200 W
阈值电压 2.8 V 2.7 V 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 100A 150A 88A
上升时间 5 ns 15 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 2670pF @50V(Vds) 6100pF @50V(Vds) 5150pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W -
下降时间 2 ns 5 ns 50 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 188W (Tc) 300W (Tc) 200W (Tc)
额定功率 - - 200 W
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 100 V
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 4.7 mm 4.83 mm
高度 - 16.51 mm 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -