对比图
型号 FDD5690 NTD32N06G HUF76423D3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5690 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 2.5 V60V,32A,N沟道MOSFET20A ， 60V ， 0.037 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET电源MOSFETFairchild 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 30.0 A 32.0 A 20.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.023 Ω 26 mΩ 27.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.2 W 93.75 W 85 W
阈值电压 2.5 V 2.8 V -
输入电容 1.11 nF 1.72 nF -
栅电荷 23.0 nC 60.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 32.0 A 20.0 A
上升时间 9 ns 84 ns 145 ns
输入电容(Ciss) 1110pF @25V(Vds) 1725pF @25V(Vds) 1060pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 1.5 W 85 W
下降时间 10 ns 93 ns 50 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 50W (Tc) 1.5 W 85W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.8 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 2.5 mm
高度 2.39 mm 2.38 mm 6.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99