IRFR13N20D和STD20NF20

对比图

型号 IRFR13N20D STD20NF20 STD7NS20T4

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3Pin(2+Tab) DPAKSTMICROELECTRONICS  STD20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STD7NS20T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 13.0 A 18.0 A 7.00 A

耗散功率 110 W 90 W 45 W

产品系列 IRFR13N20D - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 18.0 A 7.00 A

上升时间 27.0 ns 30 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 830pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 90 W 45 W

额定功率 - 110 W -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.125 Ω 0.35 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - 3 V 3 V

输入电容 - 940 pF -

栅电荷 - 28.0 nC -

漏源击穿电压 - 200 V 200 V

正向电压(Max) - 1.6 V -

下降时间 - 10 ns 12 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 45W (Tc)

通道数 - - 1

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 - 2.4 mm 2.4 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99