IPB03N03LA和IPB03N03LAG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB03N03LA IPB03N03LAG IPB034N03L G

描述 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorINFINEON  IPB034N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 2.8 mΩ

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 150W (Tc) - 94 W

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25.0 V 30 V

上升时间 - - 6.4 ns

输入电容(Ciss) 7027pF @15V(Vds) - 5300pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 150 W - 94 W

下降时间 - - 5.4 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) - 94W (Tc)

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 80.0 A 80.0 A -

输入电容 7.03 nF 7.03 nF -

栅电荷 57.0 nC 57.0 nC -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A -

长度 - - 10 mm

宽度 - - 9.25 mm

高度 - - 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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