KSP63BU和MMBTA63

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP63BU MMBTA63 KSP63TF

描述 达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial DarlingtonSOT-23 Plastic-Encapsulate Biploar TransistorsTrans Darlington PNP 30V 0.5A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Micro Commercial Components (美微科) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-226-3 - TO-226-3

极性 PNP - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V - 10000 @100mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW - 625 mW

耗散功率 625 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

增益带宽 125MHz (Min) - -

耗散功率(Max) 625 mW - -

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-226-3 - TO-226-3

长度 4.58 mm - -

宽度 3.86 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - 无铅

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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