对比图
型号 IPP60R520C6 IPP60R520CP IPP60R520C6XKSA1
描述 金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorTO-220 N-CH 600V 8.1A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 66W (Tc) 66 W 66 W
阈值电压 2.5 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 8.1A 6.80 A 8.1A
上升时间 10 ns 12 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds) 512pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 66 W 66 W -
下降时间 14 ns 16 ns 14 ns
耗散功率(Max) 66W (Tc) - 66000 mW
漏源极电阻 - 0.52 Ω -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
额定功率 - - 66 W
工作温度(Min) - - -55 ℃
长度 10 mm 10 mm -
宽度 4.4 mm 4.4 mm -
高度 15.65 mm 15.65 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -