对比图
型号 IRF1404SPBF IRF1404STRLPBF AUIRF1404STRL
描述 INFINEON IRF1404SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 VIRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-PakD2PAK N-CH 40V 162A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定功率 200 W 200 W 200 W
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.004 Ω 0.0035 Ω 4 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 200 W 3.8 W 200 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 - - 40 V
连续漏极电流(Ids) 162A 162A 162A
上升时间 140 ns 140 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 7360pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds) 7360pF @25V(Vds)
下降时间 26 ns 26 ns 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
针脚数 3 3 -
阈值电压 4 V 4 V -
额定功率(Max) 3.8 W 3.8 W -
输入电容 - 7360 pF -
长度 10.67 mm 10.67 mm 6.5 mm
宽度 9.65 mm 11.3 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -