对比图
型号 MBT3904DW1T1G MBT3904DW2T1 MBT3904DW1T3G
描述 ON SEMICONDUCTOR MBT3904DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorsNPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363
引脚数 6 - 6
额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V
额定电流 200 mA 200 mA 200 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 150 mW 625 mW 150 mW
增益频宽积 - 300 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V
额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
频率 300 MHz - 300 MHz
额定功率 150 mW - -
针脚数 6 - 6
直流电流增益(hFE) 300 - 100
耗散功率(Max) 150 mW - 150 mW
长度 2.2 mm 2 mm 2.2 mm
宽度 1.35 mm 1.25 mm 1.35 mm
高度 1 mm 0.9 mm 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -