对比图
型号 BTS114 IRF9Z34NPBF IRFZ24NPBF
描述 TEMPFET （N沟道增强型温度传感器晶闸管特性） TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 68 W 45 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.1 Ω 0.07 Ω
极性 - P-Channel N-CH
耗散功率 - 56 W 45 W
输入电容 - 620 pF 370 pF
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) - 19A 17A
上升时间 - 55 ns 34 ns
输入电容(Ciss) - 620pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 68 W 45 W
下降时间 - 41 ns 27 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 68W (Tc) 45W (Tc)
通道数 - - 1
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 - - 55 V
长度 - 10.54 mm 10 mm
宽度 - 4.69 mm 4.4 mm
高度 - 8.77 mm 8.77 mm
封装 - TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17