VNS3NV04DTR-E和VNS3NV04TR-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNS3NV04DTR-E VNS3NV04TR-E VNS3NV04D-E

描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET门驱动器 N-Ch 40V 3.5A OmniOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 开关电源FET驱动器开关电源

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SO-8

输出接口数 2 1 2

漏源极电阻 120 mΩ 120 mΩ 120 mΩ

极性 N-Channel N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 4.00 W 8.3 W 4.00 W

漏源击穿电压 45.0 V 40.0 V 45.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 1.50 A

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 3.5 A

输出电流 - 3.5 A 3.5 A

封装 SOIC-8 SO-8 SO-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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