对比图
描述 PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistorON SEMICONDUCTOR BSP16T1G 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 15 MHz, 1.5 W, -100 mA, 30 hFEPNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管晶体管
封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 - 4 -
封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223
长度 - 6.7 mm -
宽度 - 3.7 mm -
高度 - 1.57 mm -
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
频率 - 15 MHz -
额定电压(DC) - -300 V -
额定电流 - -1.00 A -
针脚数 - 4 -
极性 - PNP -
耗散功率 - 1.5 W -
增益频宽积 - 15 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -
集电极最大允许电流 - 0.1A -
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -
额定功率(Max) - 1.5 W -
直流电流增益(hFE) - 30 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 1500 mW -
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -