BSP16和BSP16T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP16 BSP16T1G BCP52

描述 PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistorON SEMICONDUCTOR  BSP16T1G  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 15 MHz, 1.5 W, -100 mA, 30 hFEPNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.57 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

频率 - 15 MHz -

额定电压(DC) - -300 V -

额定电流 - -1.00 A -

针脚数 - 4 -

极性 - PNP -

耗散功率 - 1.5 W -

增益频宽积 - 15 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 1.5 W -

直流电流增益(hFE) - 30 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1500 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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