对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRF530A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin (3+Tab) TO-220AB
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管N沟道MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
针脚数 3 - -
漏源极电阻 110 mΩ - 90.0 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 55 W 60 W 70.0 W
阈值电压 2 V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 -12.0 V - 100V (min)
栅源击穿电压 ±0.00 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 15.0 A 17.0 A
上升时间 14 ns 25 ns 22.0 ns
输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 55 W 60 W -
下降时间 36 ns 8 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 55W (Tc) 60W (Tc) -
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 15.0 A 17.0 A
产品系列 - - IRF530N
长度 10.1 mm 10.4 mm -
宽度 4.7 mm 4.6 mm -
高度 9.4 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Rail Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -