2SB1030和2SB643

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB1030 2SB643 2SA1512

描述 PNP硅外延平面型(低频放大) Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)PNP硅外延平面型(适用于低功率一般放大) Silicon PNP epitaxial planer type(For low-power general amplification)PNP硅外延平面型 Silicon PNP epitaxial planer type

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) Panasonic (松下) Panasonic (松下)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 NS-B1 - -

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 20 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

封装 NS-B1 - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

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