IRF530A和IRF530NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF530A IRF530NPBF IRF530N

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRF530A  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF530NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, TO-220AB 新Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin (3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管N沟道MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 110 mΩ 0.09 Ω 90.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 55 W 70 W 70.0 W

阈值电压 2 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 -12.0 V 100 V 100V (min)

栅源击穿电压 ±0.00 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 17.0 A 17.0 A

上升时间 14 ns 22 ns 22.0 ns

输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 920pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 55 W 70 W -

下降时间 36 ns 25 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 55W (Tc) 70000 mW -

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 17.0 A 17.0 A

产品系列 - IRF530N IRF530N

输入电容 - 920pF @25V -

长度 10.1 mm 10.54 mm -

宽度 4.7 mm - -

高度 9.4 mm 15.24 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -

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