BDX66C和MJ15015G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDX66C MJ15015G MJ2501

描述 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, -120V, 7MHz, 150W, -16A, 1000 hFENPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管MULTICOMP  MJ2501  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 150 W, 10 A, 1000 hFE

数据手册 ---

制造商 Semelab ON Semiconductor (安森美) Multicomp

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-3 TO-204-2 TO-3

频率 - 6 MHz -

额定电压(DC) - 120 V -

额定电流 - 15.0 A -

针脚数 - 2 2

极性 PNP NPN PNP

耗散功率 150 W 180 W 150 W

增益频宽积 - 6 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 120 V -

热阻 - 1.52℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 15A -

最小电流放大倍数(hFE) - 10 @4A, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 70 -

额定功率(Max) - 180 W -

直流电流增益(hFE) 1000 70 1000

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 180 W -

长度 - 39.37 mm -

宽度 - 26.67 mm -

高度 - 8.51 mm -

封装 TO-3 TO-204-2 TO-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 - Active -

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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