KSH45H11ITU和MJD45H11-001G

对比图

型号 KSH45H11ITU MJD45H11-001G KSH50-I

描述 Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsPower Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251 -

频率 40 MHz 90 MHz -

额定电压(DC) -80.0 V - -

额定电流 -8.00 A - -

极性 PNP PNP -

耗散功率 1.75 W 20 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 8A 8A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V - -

额定功率(Max) 1.75 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW -

长度 6.6 mm - -

宽度 2.3 mm - -

高度 6.1 mm - -

封装 TO-251-3 TO-251 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -