KSB1015YTU和KSB1366YTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSB1015YTU KSB1366YTU

描述 Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 9 MHz

针脚数 - -

耗散功率 25 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @500mA, 5V 100 @500mA, 5V

额定功率(Max) 25 W 2 W

直流电流增益(hFE) - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25 W -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V

额定电流 -3.00 A -3.00 A

极性 PNP PNP

集电极最大允许电流 3A 3A

最大电流放大倍数(hFE) 200 320

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.16 mm 10.16 mm

宽度 2.54 mm 4.7 mm

高度 15.87 mm 9.19 mm

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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