对比图
描述 双N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETN 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 8 8
封装 - 1212
漏源极电阻 0.162 Ω 0.162 Ω
极性 Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 1.3 W 1.3 W
阈值电压 3.5 V 3.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V
连续漏极电流(Ids) - 25.0 A
热阻 - 77℃/W (RθJA)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1300 mW
上升时间 11.0 ns -
长度 - 3.15 mm
高度 - 1.04 mm
封装 - 1212
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -