IRG4PC50WPBF和IXGH30N60C3C1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4PC50WPBF IXGH30N60C3C1 IGW30N60TFKSA1

描述 INFINEON  IRG4PC50WPBF  单晶体管, IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚IXYS SEMICONDUCTOR  IXGH30N60C3C1  单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 引脚INFINEON  IGW30N60TFKSA1  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 200 W - 187 W

针脚数 3 3 3

耗散功率 200 W 220 W 187 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 200 W 220 W 187 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 220000 mW 187000 mW

极性 N-Channel - -

输入电容 3700 pF - -

上升时间 33.0 ns - -

热阻 40 ℃/W - -

长度 15.9 mm - 16.13 mm

宽度 5.3 mm - 5.21 mm

高度 20.3 mm - 21.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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