MMBZ15VAL和MMBZ15VDLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ15VAL MMBZ15VDLT1G MMBZ15VALT1G

描述 NXP  MMBZ15VAL  静电保护装置, TVS, 21 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mWON SEMICONDUCTOR  MMBZ15VDLT1G...  单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °CON SEMICONDUCTOR  MMBZ15VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 12 V, 21 V, SOT-23, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 15.0 V 15.0 V

工作电压 900 mV 12.8 V 12 V

额定电流 - 1.00 A 1.00 A

额定功率 - 40.0 W 40.0 W

击穿电压 - 14.3 V 14.25 V

电路数 - - 2

针脚数 3 3 3

耗散功率 360 mW 225 mW 300 mW

钳位电压 21 V 21.2 V 21 V

测试电流 - 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 15.75 V 15.8 V 15.75 V

脉冲峰值功率 - 40 W 40 W

最小反向击穿电压 14.25 V 14.3 V 14.25 V

击穿电压 - 14.3 V 14.25 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

稳压值 - 15 V -

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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