BST15和BST15,115

对比图

型号 BST15 BST15,115 BST16TC

描述 PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistors双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V -

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A -

耗散功率 - 1300 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 1.3 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

长度 - 4.6 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -