对比图
型号 2N3057A JANTX2N3057A 2N2102
描述 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTORSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-46-3 TO-206 -
耗散功率 500 mW - -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -
最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 10V 50 @500mA, 10V -
额定功率(Max) 500 mW 500 mW -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -
封装 TO-46-3 TO-206 -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Bulk Bag -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -
含铅标准 Contains Lead -
ECCN代码 EAR99 - -