2N3057A和JANTX2N3057A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3057A JANTX2N3057A 2N2102

描述 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTORSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-46-3 TO-206 -

耗散功率 500 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 10V 50 @500mA, 10V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 TO-46-3 TO-206 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 - -

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