MT41J128M8JP-15EIT:G和MT41J128M8JP-15E:G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT41J128M8JP-15EIT:G MT41J128M8JP-15E:G W631GG8KB-12

描述 128MX8 DDR3 SDRAM PLASTIC IND TEMP PBF FBGA 1.5VDRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78Pin FBGA TrayDDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-78

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - 78 78

封装 FBGA FBGA-78 TFBGA-78

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

供电电流 - - 250 mA

位数 - 8 8

存取时间(Max) - - 0.225 ns

工作温度(Max) - 95 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V

工作电压 1.50 V 1.50 V -

封装 FBGA FBGA-78 TFBGA-78

高度 - 0.8 mm -

工作温度 - 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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