对比图
型号 STF21NM60ND STI15NM60ND IPA60R165CP
描述 STMICROELECTRONICS STF21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VN沟道600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh ™II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247的CoolMOS功率晶体管 CoolMos Power Transistor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.17 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 30 W 125W (Tc) 34.0 W
阈值电压 4 V - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 17A 14A 21.0 A
上升时间 16 ns - 5 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds) -
额定功率(Max) 30 W - -
下降时间 48 ns - 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 30W (Tc) 125W (Tc) 34W (Tc)
长度 10.4 mm - 10.65 mm
宽度 4.6 mm - 4.85 mm
高度 16.4 mm - 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
香港进出口证 - - NLR