STI15NM60ND参数规格_中文资料_数据手册PDF

STI15NM60ND概述

N沟道600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh ™II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

N-Channel 600V 14A Tc 125W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

STI15NM60ND中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 14A

输入电容Ciss 1250pF @50VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI15NM60ND

型号： STI15NM60ND

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh ™II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

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替代型号STI15NM60ND

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